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SiC冷搗糊

      冷搗糊SiC糊是一種可以在室溫直接搗打施工的內(nèi)襯糊,是專門用于FeSi、Si以及電石生產(chǎn)礦熱爐爐底、爐襯中炭質(zhì)材料和耐火材料之間的材料。

      圖中紅色部分為SiC糊料,主要應(yīng)用在炭質(zhì)內(nèi)襯和耐火磚材料之間以及出鐵口和鐵水包內(nèi)襯。

      SiC糊料是由SiC、Si粉以及瀝青粘結(jié)劑組成,在1400度以上糊料當中的Si和瀝青當中的C反應(yīng)形成二次SiC。

     礦熱爐冶煉普遍溫度較高。1700-1800℃的高溫下,這遠遠高于常規(guī)耐火材料最大工作溫度。一般Sio2/Al2O3質(zhì)耐火材料容易被高溫溶液侵蝕。然而SiC糊料在1400-1600度高溫下形成新的二次SiC和Si3N4物相,使結(jié)合強度增加的同時,新的物相不被熔渣濕潤,又能夠填補高溫收縮后的縫隙,從而延長使用壽命。

SiC冷搗糊優(yōu)點

◎SiC糊可以形成一層整體的具有非常低的滲透性的內(nèi)襯材料

◎糊料易施工安裝

◎電極坩堝區(qū)產(chǎn)生的氣體不容易滲透到碳化硅層下面的耐火材料層并攻擊下面的耐火材料

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◎爐底耐火材料被燒穿的可能性大大降低

◎相比用SiC磚的費用要低很多



產(chǎn)品規(guī)格

成分&指標

產(chǎn)品名稱:SiC冷搗糊

成分

碳化硅(SiC

60-80%

硅(Si

10-20%

瀝青

10-20%

未焙燒糊料

體積密度

2500kg/m3

糊料950℃焙燒后

線收縮(500-950℃)

0%

體積密度

2300kg/m3

抗壓強度

15N/mm2

熱電導率

5 W/mK

氣體滲透性(Baked at 950℃)

0.6nP

氣體滲透性(Baked at 1600℃)

0.1nP

 最佳施工溫度:

15-30℃

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